Bipolartransistor KSE170

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSE170

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -40 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 12.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular MJE170 transistor

Pinbelegung des KSE170

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KSE170 ist der KSE180.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSE170

Sie können den Transistor KSE170 durch einen BD132, BD176, BD178, BD180, BD180G, BD188, BD190, BD786, BD788, BD788G, BD790, KSE171, KSE172, MJE170, MJE170G, MJE171, MJE171G, MJE172, MJE172G, MJE232, MJE235 oder MJE252 ersetzen.
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