Bipolartransistor MJE170

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -40 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
• Verlustleistung, max: 12.5 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 50 bis 250
• Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre NPN-Transistor zum MJE170 ist der MJE180.Sie können den Transistor MJE170 durch einen BD132, BD176, BD178, BD180, BD180G, BD188, BD190, BD786, BD788, BD788G, BD790, KSE170, KSE171, KSE172, MJE170G, MJE171, MJE171G, MJE172, MJE172G, MJE232, MJE235 oder MJE252 ersetzen.