Bipolartransistor 2SA1217

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1217

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -40 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 80 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SA1217

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1217 kann eine Gleichstromverstärkung von 80 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1217-O liegt im Bereich von 80 bis 160, die des 2SA1217-Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1217-Transistor könnte nur mit "A1217" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1217 ist der 2SC2877.

SMD-Version des Transistors 2SA1217

Der 2DA1213 (SOT-89) und 2SA1213 (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SA1217-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1217

Sie können den Transistor 2SA1217 durch einen 2SA1359, 2SB1165, 2SB1166, 2SB744, 2SB744A, BD132, BD176, BD178, BD180, BD180G, BD188, BD190, BD786, BD788, BD788G, BD790, KSB744, KSB744A, KSE170, KSE171, KSE172, MJE170, MJE170G, MJE171, MJE171G, MJE172, MJE172G, MJE232, MJE235 oder MJE252 ersetzen.
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