Bipolartransistor 2SD855

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD855

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 250
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SD855

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD855 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 250 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD855-Q liegt im Bereich von 70 bis 150, die des 2SD855-R im Bereich von 40 bis 90.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD855-Transistor könnte nur mit "D855" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD855 ist der 2SB760.

SMD-Version des Transistors 2SD855

Der BCP55 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SD855-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD855

Sie können den Transistor 2SD855 durch einen 2SC1826, 2SC1985, 2SC1986, 2SC2075, 2SC3179, 2SC3851, 2SC3851A, 2SD1267, 2SD1267A, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, 2SD313, 2SD613, 2SD823, 2SD856, 2SD856A, 2SD857, 2SD857A, BD203, BD239A, BD239B, BD239C, BD241A, BD241B, BD241C, BD243A, BD243B, BD243C, BD303, BD535, BD537, BD539A, BD539B, BD539C, BD539D, BD797, BD799, BD801, BD807, BD809, BD935, BD935F, BD937, BD937F, BD939, BD939F, BD941, BD941F, BD949, BD951, BD953, BD955, BDT29A, BDT29B, BDT29C, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDX77, MJE15028, MJE15028G, TIP41D oder TIP42D ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com