Bipolartransistor BCP55

Elektrische Eigenschaften des Transistors BCP55

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 1.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-223

Pinbelegung des BCP55

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der BCP55-Transistor ist als "BCP55" gekennzeichnet.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BCP55 ist der BCP52.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BCP55

Sie können den Transistor BCP55 durch einen BCP56, BDP951, BDP953 oder BDP955 ersetzen.
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