Bipolartransistor KSB795-R

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSB795-R

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -8 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 2000 bis 5000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SB795-M transistor

Pinbelegung des KSB795-R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSB795-R kann eine Gleichstromverstärkung von 2000 bis 5000 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSB795 liegt im Bereich von 2000 bis 30000, die des KSB795-O im Bereich von 4000 bis 10000, die des KSB795-Y im Bereich von 8000 bis 30000.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KSB795-R ist der KSB986-R.

SMD-Version des Transistors KSB795-R

Der BSP62 (SOT-223), BSP62T1 (SOT-223), BSP62T1G (SOT-223), BSP62T3 (SOT-223) und BSP62T3G (SOT-223) ist die SMD-Version des KSB795-R-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSB795-R

Sie können den Transistor KSB795-R durch einen 2N6036, 2N6036G, 2SB1067, 2SB1149, 2SB1149-M, 2SB795, 2SB795-M, BD170, BD238, BD238G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD682, BD682G, BD780, KSB1149, KSB1149-O, KSE702, KSE703, MJE252, MJE254, MJE271, MJE271G, MJE702, MJE702G, MJE703, MJE703G oder MJE712 ersetzen.
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