Bipolartransistor 2SB795

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB795

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -8 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 2000 bis 30000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SB795

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB795 kann eine Gleichstromverstärkung von 2000 bis 30000 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB795-K liegt im Bereich von 8000 bis 30000, die des 2SB795-L im Bereich von 4000 bis 10000, die des 2SB795-M im Bereich von 2000 bis 5000.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB795-Transistor könnte nur mit "B795" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB795 ist der 2SD986.

SMD-Version des Transistors 2SB795

Der BSP62 (SOT-223), BSP62T1 (SOT-223), BSP62T1G (SOT-223), BSP62T3 (SOT-223) und BSP62T3G (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB795-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB795

Sie können den Transistor 2SB795 durch einen 2SB1067, BD170, BD238, BD238G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD682, BD682G, BD780, KSB795, KSE702, KSE703, MJE252, MJE254, MJE271, MJE271G, MJE702, MJE702G, MJE703, MJE703G oder MJE712 ersetzen.
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