Bipolartransistor KSB795

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSB795

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -8 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 2000 bis 30000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SB795 transistor

Pinbelegung des KSB795

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSB795 kann eine Gleichstromverstärkung von 2000 bis 30000 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSB795-O liegt im Bereich von 4000 bis 10000, die des KSB795-R im Bereich von 2000 bis 5000, die des KSB795-Y im Bereich von 8000 bis 30000.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KSB795 ist der KSB986.

SMD-Version des Transistors KSB795

Der BSP62 (SOT-223), BSP62T1 (SOT-223), BSP62T1G (SOT-223), BSP62T3 (SOT-223) und BSP62T3G (SOT-223) ist die SMD-Version des KSB795-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSB795

Sie können den Transistor KSB795 durch einen 2SB1067, 2SB795, BD170, BD238, BD238G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD682, BD682G, BD780, KSE702, KSE703, MJE252, MJE254, MJE271, MJE271G, MJE702, MJE702G, MJE703, MJE703G oder MJE712 ersetzen.
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