Bipolartransistor BSP62T1G
Elektrische Eigenschaften des Transistors BSP62T1G
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -90 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
- Verlustleistung, max: 1.25 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 1000
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-223
- Der BSP62T1G ist die bleifreie Version des BSP62T1-Transistors
Pinbelegung des BSP62T1G
Komplementärer NPN-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor BSP62T1G
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