Bipolartransistor BSP62T1G

Elektrische Eigenschaften des Transistors BSP62T1G

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -90 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 1.25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-223
  • Der BSP62T1G ist die bleifreie Version des BSP62T1-Transistors

Pinbelegung des BSP62T1G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BSP62T1G ist der BSP52T1G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BSP62T1G

Sie können den Transistor BSP62T1G durch einen BSP62, BSP62T1, BSP62T3 oder BSP62T3G ersetzen.
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