Bipolartransistor BD535K

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD535K

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
  • Verlustleistung, max: 50 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 100
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BD535K

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BD535K kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 100 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD535 liegt im Bereich von 40 bis 0, die des BD535J im Bereich von 30 bis 75.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BD535K ist der BD536K.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD535K

Sie können den Transistor BD535K durch einen 2N6487, 2N6487G, 2N6488, 2N6488G, BD203, BD303, BD537, BD537K, BD707, BD709, BD711, BD743A, BD743B, BD743C, BD797, BD799, BD801, BD807, BD809, BD907, BD909, BD911, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDT91, BDT91F, BDT93, BDT93F, BDT95, BDT95F, BDX77, MJE15028, MJE15028G, MJE2801T, MJE3055T, MJE3055TG, MJF3055 oder MJF3055G ersetzen.

Equivalent

Same transistor is also available in:
  • TO-220 package, BD533: 50 watts
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