Bipolartransistor MJE3055TG

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 70 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
• Verlustleistung, max: 75 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 20 bis 100
• Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220
• Der MJE3055TG ist die bleifreie Version des MJE3055T-Transistors

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum MJE3055TG ist der MJE2955TG.Sie können den Transistor MJE3055TG durch einen 2N6487, 2N6487G, 2N6488, 2N6488G, BD707, BD709, BD711, BD743A, BD743B, BD743C, BD907, BD909, BD911, BDT91, BDT91F, BDT93, BDT93F, BDT95, BDT95F, MJE3055T, MJF3055 oder MJF3055G ersetzen.