Bipolartransistor MJE2801T

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE2801T

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 4 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
  • Verlustleistung, max: 75 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 25 bis 100
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220
  • Electrically Similar to the Popular MJE2801 transistor

Pinbelegung des MJE2801T

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MJE2801T ist der MJE2901T.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE2801T

Sie können den Transistor MJE2801T durch einen 2N6487, 2N6487G, 2N6488, 2N6488G, BD707, BD709, BD711, BD743A, BD743B, BD743C, BD907, BD909, BD911, BDT91, BDT91F, BDT93, BDT93F, BDT95, BDT95F, MJE3055T, MJE3055TG, MJF3055 oder MJF3055G ersetzen.
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