Bipolartransistor BD535J

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
• Verlustleistung, max: 50 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 30 bis 75
• Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BD535J kann eine Gleichstromverstärkung von 30 bis 75 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD535 liegt im Bereich von 40 bis 0, die des BD535K im Bereich von 40 bis 100.Der komplementäre PNP-Transistor zum BD535J ist der BD536J.Sie können den Transistor BD535J durch einen 2N6098, 2N6099, 2N6100, 2N6101, 2N6487, 2N6487G, 2N6488, 2N6488G, BD203, BD303, BD537J, BD707, BD709, BD711, BD743A, BD743B, BD743C, BD797, BD799, BD801, BD807, BD809, BD907, BD909, BD911, BDT91, BDT91F, BDT93, BDT93F, BDT95, BDT95F, BDX77, MJE2801T, MJE3055T, MJE3055TG, MJF3055 oder MJF3055G ersetzen.Same transistor is also available in:

• TO-126 package, BD442G: 36 watts