Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB548-Q
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.8 A
Verlustleistung, max: 10 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
Übergangsfrequenz, min: 70 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des 2SB548-Q
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB548-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB548 liegt im Bereich von 40 bis 320, die des 2SB548-P im Bereich von 160 bis 320, die des 2SB548-R im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB548-S im Bereich von 40 bis 80.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB548-Q-Transistor könnte nur mit "B548-Q" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB548-Q ist der 2SD414-Q.