Bipolartransistor 2SB1144-Q

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1144-Q

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SB1144-Q

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB1144-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1144 liegt im Bereich von 100 bis 400, die des 2SB1144-S im Bereich von 140 bis 280, die des 2SB1144-T im Bereich von 200 bis 400.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1144-Q-Transistor könnte nur mit "B1144-Q" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1144-Q ist der 2SD1684-Q.

SMD-Version des Transistors 2SB1144-Q

Der 2SA1201 (SOT-89) und KTA1661 (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SB1144-Q-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1144-Q

Sie können den Transistor 2SB1144-Q durch einen 2SA1021, 2SA1021-O, 2SA1249, 2SA1249-R, 2SA1408, 2SA1408-O, 2SA1507, 2SA1507-R, 2SB1167, 2SB1167-R, 2SB1168, 2SB1168-R, 2SB649, 2SB649-C, 2SB649A, 2SB649A-C, BD792, KTA1700 oder MJE254 ersetzen.
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