Bipolartransistor 2SB631K-E

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB631K-E

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 8 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 130 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SB631K-E

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB631K-E kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB631K liegt im Bereich von 60 bis 320, die des 2SB631K-D im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB631K-F im Bereich von 160 bis 320.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB631K-E-Transistor könnte nur mit "B631K-E" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB631K-E ist der 2SD600K-E.

SMD-Version des Transistors 2SB631K-E

Der 2SA1201 (SOT-89), 2SB806 (SOT-89), 2SB806-KR (SOT-89), 2SD1007 (SOT-89), 2SD1007-HR (SOT-89) und KTA1661 (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SB631K-E-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB631K-E

Sie können den Transistor 2SB631K-E durch einen 2SA1021, 2SA1021-O, 2SA1184, 2SA1220, 2SA1220-Q, 2SA1220A, 2SA1220A-Q, 2SA1249, 2SA1249-R, 2SA1358, 2SA1408, 2SA1408-O, 2SA1507, 2SA1507-R, 2SA795, 2SA795A, 2SB649, 2SB649-C, 2SB649A, 2SB649A-C, KSA1220, KSA1220-O, KSA1220A, KSA1220A-O, KTA1700, KTA1704 oder KTA1704-Y ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com