Bipolartransistor 2SB805

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB805

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.7 A
  • Verlustleistung, max: 2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 90 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 75 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-89

Pinbelegung des 2SB805

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB805 kann eine Gleichstromverstärkung von 90 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB805-KK liegt im Bereich von 200 bis 400, die des 2SB805-KL im Bereich von 135 bis 270, die des 2SB805-KM im Bereich von 90 bis 180.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB805-Transistor könnte nur mit "B805" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB805 ist der 2SD1006.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB805

Sie können den Transistor 2SB805 durch einen 2SB806, 2SD1006 oder 2SD1007 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com