Bipolartransistor 2SB631-E

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB631-E

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 8 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 130 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SB631-E

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB631-E kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB631 liegt im Bereich von 60 bis 320, die des 2SB631-D im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB631-F im Bereich von 160 bis 320.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB631-E-Transistor könnte nur mit "B631-E" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB631-E ist der 2SD600-E.

SMD-Version des Transistors 2SB631-E

Der 2SA1201 (SOT-89), 2SA1368 (SOT-89), 2SA1368-D (SOT-89), 2SB805 (SOT-89), 2SB805-KM (SOT-89), 2SB806 (SOT-89), 2SB806-KR (SOT-89), 2SD1006 (SOT-89), 2SD1006-HM (SOT-89), 2SD1007 (SOT-89), 2SD1007-HR (SOT-89) und KTA1661 (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SB631-E-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB631-E

Sie können den Transistor 2SB631-E durch einen 2SA1021, 2SA1021-O, 2SA1184, 2SA1220, 2SA1220-Q, 2SA1220A, 2SA1220A-Q, 2SA1249, 2SA1249-R, 2SA1358, 2SA1408, 2SA1408-O, 2SA1507, 2SA1507-R, 2SA795, 2SA795A, 2SB1144, 2SB1144-Q, 2SB1167, 2SB1167-R, 2SB1168, 2SB1168-R, 2SB631K, 2SB631K-E, 2SB649, 2SB649-C, 2SB649A, 2SB649A-C, BD792, KSA1220, KSA1220-O, KSA1220A, KSA1220A-O, KTA1700, KTA1704, KTA1704-Y oder MJE254 ersetzen.
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