Bipolartransistor 2SA1408-O

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1408-O

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -150 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SA1408-O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1408-O kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1408 liegt im Bereich von 60 bis 200, die des 2SA1408-R im Bereich von 60 bis 120.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1408-O-Transistor könnte nur mit "A1408-O" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1408-O ist der 2SC3621-O.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1408-O

Sie können den Transistor 2SA1408-O durch einen 2SA1021, 2SA1021-O, 2SA1249, 2SA1249-R, 2SA1507, 2SA1507-R, 2SB649A, 2SB649A-C oder KTA1700 ersetzen.
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