Bipolartransistor 2SA1507-R

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1507-R

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -160 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -180 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126F

Pinbelegung des 2SA1507-R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1507-R kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1507 liegt im Bereich von 100 bis 400, die des 2SA1507-S im Bereich von 140 bis 280, die des 2SA1507-T im Bereich von 200 bis 400.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1507-R-Transistor könnte nur mit "A1507-R" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1507-R ist der 2SC3902-R.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1507-R

Sie können den Transistor 2SA1507-R durch einen 2SA1249, 2SA1249-R, 2SB649A, 2SB649A-C oder KTA1700 ersetzen.
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