Bipolartransistor 2SD1006

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.7 A
• Verlustleistung, max: 2 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 90 bis 400
• Übergangsfrequenz, min: 90 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-89

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SD1006 kann eine Gleichstromverstärkung von 90 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1006-HK liegt im Bereich von 200 bis 400, die des 2SD1006-HL im Bereich von 135 bis 270, die des 2SD1006-HM im Bereich von 90 bis 180.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1006-Transistor könnte nur mit "D1006" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SD1006 ist der 2SB805.Sie können den Transistor 2SD1006 durch einen 2SB805, 2SB806 oder 2SD1007 ersetzen.