Bipolartransistor 2SB1135-R

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -7 A
• Verlustleistung, max: 30 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 200
• Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220F

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1135-R kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1135 liegt im Bereich von 70 bis 280, die des 2SB1135-Q im Bereich von 70 bis 140, die des 2SB1135-S im Bereich von 140 bis 280.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1135-R-Transistor könnte nur mit "B1135-R" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1135-R ist der 2SD1668-R.Sie können den Transistor 2SB1135-R durch einen 2SA1010, 2SA1010K, 2SA1290, 2SA1290-R, 2SA1291, 2SA1291-R, 2SA1328, 2SA1329, 2SA1451, 2SA1451A, 2SA1452, 2SA1452A, 2SA1470, 2SA1470-R, 2SA1471, 2SA1471-R, 2SA1742, 2SA1742-M, 2SA1743, 2SA1743-M, 2SA1744, 2SA1744-M, 2SB1018, 2SB1018A, 2SB1019, 2SB1097, 2SB1097-K, 2SB1136, 2SB1136-R, 2SB553, 2SB707, 2SB707-Y, 2SB708, 2SB708-Y, 2SB825, 2SB825-R, 2SB826, 2SB826-R, 2SB870, 2SB946, 2SB992, 2SB993, BD204, BD304, BD536, BD538, BD544A, BD544B, BD544C, BD546A, BD546B, BD546C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT92, BDT92F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, D45H11, D45H11FP, D45H8, KSA1010, KSA1010Y, KSB1097, KSB1097-Y, KSB707, KSB707-Y, KSB708 oder KSB708-Y ersetzen.