Bipolartransistor 2SB826-R

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB826-R

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -12 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SB826-R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB826-R kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB826 liegt im Bereich von 70 bis 280, die des 2SB826-Q im Bereich von 70 bis 140, die des 2SB826-S im Bereich von 140 bis 280.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB826-R-Transistor könnte nur mit "B826-R" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB826-R ist der 2SD1062-R.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB826-R

Sie können den Transistor 2SB826-R durch einen 2SA1328, 2SA1329, 2SA1451, 2SA1451A, 2SA1452, 2SA1452A, 2SA1744, 2SA1744-M, 2SB1136, 2SB1136-R, BD546A, BD546B, BD546C, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86 oder BDT86F ersetzen.
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