Caractéristiques électriques du transistor 2SB824-R
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -50 V
Tension collecteur-base maximum: -60 V
Tension émetteur-base maximum: -6 V
Courant collecteur continu maximum: -5 A
Dissipation de puissance maximum: 30 W
Gain de courant (hfe): 100 à 200
Fréquence de transition minimum: 30 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220
Brochage du 2SB824-R
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SB824-R peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SB824 est compris entre 70 à 280, celui du 2SB824-Q entre 70 à 140, celui du 2SB824-S entre 140 à 280.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB824-R peut n'être marqué que B824-R.
Version SMD du transistor 2SB824-R
Le 2SB1124 (SOT-89), 2SB1124-R (SOT-89) et BDP950 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SB824-R.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB824-R