Caractéristiques électriques du transistor 2SB1135
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -50 V
Tension collecteur-base maximum: -60 V
Tension émetteur-base maximum: -6 V
Courant collecteur continu maximum: -7 A
Dissipation de puissance maximum: 30 W
Gain de courant (hfe): 70 à 280
Fréquence de transition minimum: 10 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220F
Brochage du 2SB1135
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SB1135 peut avoir un gain en courant continu de 70 à 280. Le gain en courant continu du 2SB1135-Q est compris entre 70 à 140, celui du 2SB1135-R entre 100 à 200, celui du 2SB1135-S entre 140 à 280.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1135 peut n'être marqué que B1135.
Complémentaire du transistor 2SB1135
Le transistor NPN complémentaire du 2SB1135 est le 2SD1668.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1135