Transistor bipolaire 2SB1136

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1136

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -50 V
  • Tension collecteur-base maximum: -60 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -12 A
  • Dissipation de puissance maximum: 30 W
  • Gain de courant (hfe): 70 à 280
  • Fréquence de transition minimum: 10 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F

Brochage du 2SB1136

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1136 peut avoir un gain en courant continu de 70 à 280. Le gain en courant continu du 2SB1136-Q est compris entre 70 à 140, celui du 2SB1136-R entre 100 à 200, celui du 2SB1136-S entre 140 à 280.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1136 peut n'être marqué que B1136.

Complémentaire du transistor 2SB1136

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1136 est le 2SD1669.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1136

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1136 par 2SB826, BD546A, BD546B, BD546C, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86 ou BDT86F.
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