Transistor bipolaire 2SB1136-R

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1136-R

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -50 V
  • Tension collecteur-base maximum: -60 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -12 A
  • Dissipation de puissance maximum: 30 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 10 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F

Brochage du 2SB1136-R

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1136-R peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SB1136 est compris entre 70 à 280, celui du 2SB1136-Q entre 70 à 140, celui du 2SB1136-S entre 140 à 280.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1136-R peut n'être marqué que B1136-R.

Complémentaire du transistor 2SB1136-R

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1136-R est le 2SD1669-R.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1136-R

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1136-R par 2SA1328, 2SA1329, 2SA1451, 2SA1451A, 2SA1452, 2SA1452A, 2SA1744, 2SA1744-M, 2SB826, 2SB826-R, BD546A, BD546B, BD546C, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86 ou BDT86F.
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