Bipolartransistor KTB772-O

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTB772-O

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 80 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SB772O transistor

Pinbelegung des KTB772-O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTB772-O kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTB772 liegt im Bereich von 100 bis 400, die des KTB772-GR im Bereich von 200 bis 400, die des KTB772-Y im Bereich von 160 bis 320.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KTB772-O ist der KTD882-O.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTB772-O

Sie können den Transistor KTB772-O durch einen 2SA1217, 2SA1359, 2SB1143, 2SB1143-R, 2SB1165, 2SB1165-R, 2SB1166, 2SB1166-R, 2SB743, 2SB743-Q, 2SB744, 2SB744-O, 2SB744A, 2SB744A-O, 2SB772, 2SB772O, 2SB772Q, 2SB986, 2SB986-R, BD132, BD176, BD176-16, BD178, BD186, BD188, BD190, BD786, BD788, BD788G, KSB744, KSB744-O, KSB744A, KSB744A-O, KSB772, KSB772-O, KSE170, KSE171, KSH772, KSH772-O, KTA1705, MJE170, MJE170G, MJE171, MJE171G, MJE230, MJE232, MJE233, MJE235 oder MJE370 ersetzen.
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