Bipolartransistor KSB772

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSB772

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 80 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SB772 transistor

Pinbelegung des KSB772

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSB772 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSB772-G liegt im Bereich von 200 bis 400, die des KSB772-O im Bereich von 100 bis 200, die des KSB772-R im Bereich von 60 bis 120, die des KSB772-Y im Bereich von 160 bis 320.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KSB772 ist der KSD882.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSB772

Sie können den Transistor KSB772 durch einen 2SB772, BD132, BD186, BD188, BD190, KSH772, MJE232, MJE235 oder MJE370 ersetzen.
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