Bipolartransistor 2SB1166-R

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -8 A
• Verlustleistung, max: 20 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 200
• Übergangsfrequenz, min: 130 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1166-R kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1166 liegt im Bereich von 70 bis 400, die des 2SB1166-Q im Bereich von 70 bis 140, die des 2SB1166-S im Bereich von 140 bis 280, die des 2SB1166-T im Bereich von 200 bis 400.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1166-R-Transistor könnte nur mit "B1166-R" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1166-R ist der 2SD1723-R.