Bipolartransistor 2SB743

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB743

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 320
  • Übergangsfrequenz, min: 55 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SB743

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB743 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB743-P liegt im Bereich von 160 bis 320, die des 2SB743-Q im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB743-R im Bereich von 60 bis 120.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB743-Transistor könnte nur mit "B743" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB743 ist der 2SD793.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB743

Sie können den Transistor 2SB743 durch einen 2SB744, 2SB744A, 2SB772, BD132, BD186, BD188, BD190, KSB744, KSB744A, KSB772, KSH772, MJE232, MJE235 oder MJE370 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com