Bipolartransistor KTB772-GR

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTB772-GR

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 80 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SB772GR transistor

Pinbelegung des KTB772-GR

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTB772-GR kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTB772 liegt im Bereich von 100 bis 400, die des KTB772-O im Bereich von 100 bis 200, die des KTB772-Y im Bereich von 160 bis 320.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KTB772-GR ist der KTD882-GR.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTB772-GR

Sie können den Transistor KTB772-GR durch einen 2SA2196, 2SA2197, 2SB1143, 2SB1143-T, 2SB1165, 2SB1165-T, 2SB1166, 2SB1166-T, 2SB772, 2SB772E, 2SB772GR, 2SB986, 2SB986-T, BD132, BD186, BD188, BD190, KSB772, KSB772-G, KSH772, KSH772-G, MJE232, MJE235 oder MJE370 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com