Bipolartransistor BD186

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD186

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40
  • Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD186

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD186 ist der BD185.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD186

Sie können den Transistor BD186 durch einen 2N6034, 2N6034G, 2N6035, 2N6035G, 2SA2196, 2SA2197, 2SB1143, 2SB1143-R, 2SB1143-S, 2SB1143-T, 2SB1143-U, 2SB1165, 2SB1165-Q, 2SB1165-R, 2SB1165-S, 2SB1165-T, 2SB1166, 2SB1166-Q, 2SB1166-R, 2SB1166-S, 2SB1166-T, 2SB986, 2SB986-R, 2SB986-S, 2SB986-T, 2SB986-U, BD188, BD190, BD436, BD436G, BD440, BD440G, BD676, BD676A, BD676AG, BD676G, BD678, BD678A, BD678AG, BD678G, BD776, BD778, BD786, BD788, BD788G, KSE700, KSE701, MJE230, MJE231, MJE233, MJE234, MJE700, MJE700G, MJE701 oder MJE701G ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com