Bipolartransistor KSB744-O

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSB744-O

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -70 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 45 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SB744-O transistor

Pinbelegung des KSB744-O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSB744-O kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSB744 liegt im Bereich von 60 bis 320, die des KSB744-R im Bereich von 60 bis 120, die des KSB744-Y im Bereich von 160 bis 320.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KSB744-O ist der KSD794-O.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSB744-O

Sie können den Transistor KSB744-O durch einen 2SB1143, 2SB1143-R, 2SB1165, 2SB1165-R, 2SB1166, 2SB1166-R, 2SB744, 2SB744-O, 2SB744A, 2SB744A-O, 2SB986, 2SB986-R, BD132, BD176, BD176-16, BD178, BD180, BD180G, BD188, BD190, BD786, BD788, BD788G, BD790, KSB744A, KSB744A-O, KSE171, KSE172, MJE171, MJE171G, MJE172, MJE172G, MJE233, MJE235, MJE250 oder MJE252 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com