Bipolartransistor KSD569-R

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSD569-R

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 7 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 80
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220
  • Electrically Similar to the Popular 2SD569-M transistor

Pinbelegung des KSD569-R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSD569-R kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSD569 liegt im Bereich von 40 bis 200, die des KSD569-O im Bereich von 60 bis 120, die des KSD569-Y im Bereich von 100 bis 200.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KSD569-R ist der KSB708-R.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSD569-R

Sie können den Transistor KSD569-R durch einen 2N6100, 2N6101, 2N6131, 2N6488, 2N6488G, 2SC2334, 2SC2334M, 2SD569, 2SD569-M, BD537, BD537K, BD709, BD711, BD743B, BD743C, BD799, BD801, BD809, BD909, BD911, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDT93, BDT93F, BDT95, BDT95F, BDX77, KSC2334, KSC2334R, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, MJF3055 oder MJF3055G ersetzen.
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