Bipolartransistor 2N6100

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
• Verlustleistung, max: 75 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 20 bis 80
• Übergangsfrequenz, min: 1 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Sie können den Transistor 2N6100 durch einen 2N6101, 2N6488, 2N6488G, BD709, BD711, BD743B, BD743C, BD909, BD911, BDT93, BDT93F, BDT95, BDT95F, MJF3055 oder MJF3055G ersetzen.