Bipolartransistor BD176-6

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD176-6

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -45 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 60
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD176-6

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BD176-6 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 60 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD176 liegt im Bereich von 40 bis 250, die des BD176-10 im Bereich von 63 bis 160, die des BD176-16 im Bereich von 100 bis 250.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD176-6 ist der BD175-6.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD176-6

Sie können den Transistor BD176-6 durch einen 2N4919, 2N4919G, 2N4920, 2N4920G, 2N5194, 2N5194G, 2N5195, 2N5195G, BD132, BD178, BD178-6, BD180, BD180-6, BD180G, BD188, BD190, BD438, BD438G, BD440, BD440G, BD442, BD442G, BD786, BD788, BD788G, BD790, MJE233, MJE234, MJE235, MJE250, MJE251, MJE252 oder NTE185 ersetzen.
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