Bipolartransistor 2SB945-P

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB945-P

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -130 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 130 bis 260
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SB945-P

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB945-P kann eine Gleichstromverstärkung von 130 bis 260 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB945 liegt im Bereich von 60 bis 260, die des 2SB945-Q im Bereich von 90 bis 180, die des 2SB945-R im Bereich von 60 bis 120.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB945-P-Transistor könnte nur mit "B945-P" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB945-P ist der 2SD1270-P.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB945-P

Sie können den Transistor 2SB945-P durch einen 2SA771, 2SB633, 2SB870, 2SB870-P, 2SB946, 2SB946-P, BD244B, BD244C, BD538, BD540B, BD540C, BD544B, BD544C, BD546B, BD546C, BD800, BD802, BD810, BD952, BD954, BD956, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D45H11, D45H11FP, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 oder MJF15031G ersetzen.
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