Caractéristiques électriques du transistor KTD1351Y
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
Tension collecteur-base maximum: 60 V
Tension émetteur-base maximum: 7 V
Courant collecteur continu maximum: 3 A
Dissipation de puissance maximum: 30 W
Gain de courant (hfe): 100 à 200
Fréquence de transition minimum: 3 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220
Brochage du KTD1351Y
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor KTD1351Y peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du KTD1351 est compris entre 60 à 300, celui du KTD1351GR entre 150 à 300, celui du KTD1351O entre 60 à 120.
Complémentaire du transistor KTD1351Y
Le transistor PNP complémentaire du KTD1351Y est le KTB988Y.
Version SMD du transistor KTD1351Y
Le BDP949 (SOT-223) est la version SMD du transistor KTD1351Y.
Substituts et équivalents pour le transistor KTD1351Y