Transistor bipolaire BD937F

Caractéristiques électriques du transistor BD937F

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
  • Tension collecteur-base maximum: 100 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 19 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 250
  • Fréquence de transition minimum: 3 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular BD937 transistor

Brochage du BD937F

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BD937F

Le transistor PNP complémentaire du BD937F est le BD938F.

Version SMD du transistor BD937F

Le BDP951 (SOT-223) et BDP953 (SOT-223) est la version SMD du transistor BD937F.

Substituts et équivalents pour le transistor BD937F

Vous pouvez remplacer le transistor BD937F par 2SC1986, 2SC2075, 2SC3851A, 2SD1267A, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, 2SD613, 2SD772, 2SD792, 2SD823, 2SD856A, 2SD857A, BD241B, BD241C, BD243B, BD243C, BD537, BD539B, BD539C, BD539D, BD799, BD801, BD809, BD937, BD939, BD939F, BD941, BD941F, BD951, BD953, BD955, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDX77, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E ou TIP42F.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com