Transistor bipolaire 2SD1362

Caractéristiques électriques du transistor 2SD1362

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
  • Tension collecteur-base maximum: 100 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 7 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 70 à 240
  • Fréquence de transition minimum: 10 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F

Brochage du 2SD1362

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD1362 peut avoir un gain en courant continu de 70 à 240. Le gain en courant continu du 2SD1362-O est compris entre 70 à 140, celui du 2SD1362-Y entre 120 à 240.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1362 peut n'être marqué que D1362.

Complémentaire du transistor 2SD1362

Le transistor PNP complémentaire du 2SD1362 est le 2SB992.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1362

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1362 par 2SC2334, 2SC3346, 2SC3710, 2SC3710A, 2SD1271, 2SD1411, 2SD1411A, 2SD866, 2SD866A, BD537, BD543B, BD543C, BD545B, BD545C, BD799, BD801, BD809, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDX77, D44H11, D44H11FP, KSC2334, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030 ou MJF15030G.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com