Transistor bipolaire 2SD2012

Caractéristiques électriques du transistor 2SD2012

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
  • Tension collecteur-base maximum: 60 V
  • Tension émetteur-base maximum: 7 V
  • Courant collecteur continu maximum: 3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 25 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 320
  • Fréquence de transition minimum: 9 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du 2SD2012

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD2012 peut n'être marqué que D2012.

Complémentaire du transistor 2SD2012

Le transistor PNP complémentaire du 2SD2012 est le 2SB1375.

Version SMD du transistor 2SD2012

Le BDP949 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SD2012.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD2012

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD2012 par 2SC1826, 2SC1985, 2SC1986, 2SC2075, 2SC3179, 2SC3851, 2SC3851A, 2SC4007, 2SC4008, 2SC4550, 2SC4551, 2SC4552, 2SD1134, 2SD1266, 2SD1266A, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, 2SD1761, 2SD2061, 2SD2394, 2SD313, 2SD613, 2SD823, BD203, BD241A, BD241B, BD241C, BD243A, BD243B, BD243C, BD303, BD535, BD537, BD539A, BD539B, BD539C, BD539D, BD543A, BD543B, BD543C, BD545A, BD545B, BD545C, BD797, BD799, BD801, BD807, BD809, BD949, BD951, BD953, BD955, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDX77, D44H11, D44H11FP, D44H8, KSD2012, MJE15028, MJE15028G, TIP41D ou TIP42D.
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