Transistor bipolaire 2SD2012
Caractéristiques électriques du transistor 2SD2012
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
- Tension collecteur-base maximum: 60 V
- Tension émetteur-base maximum: 7 V
- Courant collecteur continu maximum: 3 A
- Dissipation de puissance maximum: 25 W
- Gain de courant (hfe): 100 à 320
- Fréquence de transition minimum: 9 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-220
Brochage du 2SD2012
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD2012 peut n'être marqué que
D2012.
Complémentaire du transistor 2SD2012
Le transistor
PNP complémentaire du 2SD2012 est le
2SB1375.
Version SMD du transistor 2SD2012
Le
BDP949 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SD2012.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD2012
Vous pouvez remplacer le transistor 2SD2012 par
2SC1826,
2SC1985,
2SC1986,
2SC2075,
2SC3179,
2SC3851,
2SC3851A,
2SC4007,
2SC4008,
2SC4550,
2SC4551,
2SC4552,
2SD1134,
2SD1266,
2SD1266A,
2SD1274,
2SD1274A,
2SD1274B,
2SD1761,
2SD2061,
2SD2394,
2SD313,
2SD613,
2SD823,
BD203,
BD241A,
BD241B,
BD241C,
BD243A,
BD243B,
BD243C,
BD303,
BD535,
BD537,
BD539A,
BD539B,
BD539C,
BD539D,
BD543A,
BD543B,
BD543C,
BD545A,
BD545B,
BD545C,
BD797,
BD799,
BD801,
BD807,
BD809,
BD949,
BD951,
BD953,
BD955,
BDT81,
BDT81F,
BDT83,
BDT83F,
BDT85,
BDT85F,
BDT87,
BDT87F,
BDX77,
D44H11,
D44H11FP,
D44H8,
KSD2012,
MJE15028,
MJE15028G,
TIP41D ou
TIP42D.
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