Transistor bipolaire BDT95F

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
• Tension collecteur-base maximum: 100 V
• Tension émetteur-base maximum: 7 V
• Courant collecteur continu maximum: 10 A
• Dissipation de puissance maximum: 32 W
• Gain de courant (h_fe): 20 à 200
• Fréquence de transition minimum: 4 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220F

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du BDT95F est le BDT96F.Vous pouvez remplacer le transistor BDT95F par BDT95.