Transistor bipolaire KSD2012

Caractéristiques électriques du transistor KSD2012

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
  • Tension collecteur-base maximum: 60 V
  • Tension émetteur-base maximum: 7 V
  • Courant collecteur continu maximum: 3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 25 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 320
  • Fréquence de transition minimum: 3 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F

Brochage du KSD2012

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSD2012 peut avoir un gain en courant continu de 100 à 320. Le gain en courant continu du KSD2012-G est compris entre 150 à 320, celui du KSD2012-Y entre 100 à 200.

Complémentaire du transistor KSD2012

Le transistor PNP complémentaire du KSD2012 est le KSB1366.

Version SMD du transistor KSD2012

Le BDP949 (SOT-223) est la version SMD du transistor KSD2012.

Substituts et équivalents pour le transistor KSD2012

Vous pouvez remplacer le transistor KSD2012 par 2SC1826, 2SC1985, 2SC1986, 2SC2075, 2SC3179, 2SC3851, 2SC3851A, 2SC4007, 2SC4008, 2SC4550, 2SC4551, 2SC4552, 2SD1134, 2SD1266, 2SD1266A, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, 2SD1761, 2SD2012, 2SD2061, 2SD2394, 2SD313, 2SD613, 2SD823, BD203, BD241A, BD241B, BD241C, BD243A, BD243B, BD243C, BD303, BD535, BD537, BD539A, BD539B, BD539C, BD539D, BD543A, BD543B, BD543C, BD545A, BD545B, BD545C, BD797, BD799, BD801, BD807, BD809, BD949, BD951, BD953, BD955, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDX77, D44H11, D44H11FP, D44H8, MJE15028, MJE15028G, TIP41D ou TIP42D.
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