Transistor bipolaire 2SD1270

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
• Tension collecteur-base maximum: 130 V
• Tension émetteur-base maximum: 7 V
• Courant collecteur continu maximum: 5 A
• Dissipation de puissance maximum: 40 W
• Gain de courant (h_fe): 60 à 260
• Fréquence de transition minimum: 30 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-220F

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SD1270 peut avoir un gain en courant continu de 60 à 260. Le gain en courant continu du 2SD1270-P est compris entre 130 à 260, celui du 2SD1270-Q entre 90 à 180, celui du 2SD1270-R entre 60 à 120.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1270 peut n'être marqué que D1270.Le transistor PNP complémentaire du 2SD1270 est le 2SB945.Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1270 par 2SC1986, 2SD1271, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, 2SD613, 2SD772, 2SD792, 2SD823, 2SD866, 2SD866A, BD243B, BD243C, BD537, BD539B, BD539C, BD539D, BD543B, BD543C, BD545B, BD545C, BD799, BD801, BD809, BD951, BD953, BD955, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDX77, D44H11, D44H11FP, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E ou TIP42F.