Transistor bipolaire BDT91F

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
• Tension collecteur-base maximum: 60 V
• Tension émetteur-base maximum: 7 V
• Courant collecteur continu maximum: 10 A
• Dissipation de puissance maximum: 32 W
• Gain de courant (h_fe): 20 à 200
• Fréquence de transition minimum: 4 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220F

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du BDT91F est le BDT92F.Vous pouvez remplacer le transistor BDT91F par BDT91, BDT93, BDT93F, BDT95 ou BDT95F.