Transistor bipolaire 2SD613

Caractéristiques électriques du transistor 2SD613

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 85 V
  • Tension collecteur-base maximum: 100 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 6 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 320
  • Fréquence de transition minimum: 5 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du 2SD613

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD613 peut avoir un gain en courant continu de 40 à 320. Le gain en courant continu du 2SD613-C est compris entre 40 à 80, celui du 2SD613-D entre 60 à 120, celui du 2SD613-E entre 100 à 200, celui du 2SD613-F entre 160 à 320.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD613 peut n'être marqué que D613.

Complémentaire du transistor 2SD613

Le transistor PNP complémentaire du 2SD613 est le 2SB633.

Version SMD du transistor 2SD613

Le BDP953 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SD613.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD613

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD613 par 2SD823, BD243C, BD801, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E ou TIP42F.
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