Caractéristiques électriques du transistor 2SD812-P
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
Tension collecteur-base maximum: 80 V
Tension émetteur-base maximum: 5 V
Courant collecteur continu maximum: 5 A
Dissipation de puissance maximum: 40 W
Gain de courant (hfe): 100 à 200
Fréquence de transition minimum: 15 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220
Brochage du 2SD812-P
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SD812-P peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SD812 est compris entre 40 à 200, celui du 2SD812-Q entre 60 à 120, celui du 2SD812-R entre 40 à 80.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD812-P peut n'être marqué que D812-P.
Complémentaire du transistor 2SD812-P
Le transistor PNP complémentaire du 2SD812-P est le 2SB747-P.
Version SMD du transistor 2SD812-P
Le BDP951 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SD812-P.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD812-P