Transistor bipolaire BD937

Caractéristiques électriques du transistor BD937

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
  • Tension collecteur-base maximum: 100 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 30 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 250
  • Fréquence de transition minimum: 3 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du BD937

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BD937

Le transistor PNP complémentaire du BD937 est le BD938.

Version SMD du transistor BD937

Le BDP951 (SOT-223) et BDP953 (SOT-223) est la version SMD du transistor BD937.

Substituts et équivalents pour le transistor BD937

Vous pouvez remplacer le transistor BD937 par 2SC1986, 2SC2075, 2SC3851A, 2SD1267A, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, 2SD613, 2SD772, 2SD792, 2SD823, 2SD856A, 2SD857A, BD241B, BD241C, BD243B, BD243C, BD537, BD539B, BD539C, BD539D, BD799, BD801, BD809, BD937F, BD939, BD939F, BD941, BD941F, BD951, BD953, BD955, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDX77, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E ou TIP42F.
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