Transistor bipolaire 2SD812

Caractéristiques électriques du transistor 2SD812

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
  • Tension collecteur-base maximum: 80 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 15 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du 2SD812

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD812 peut avoir un gain en courant continu de 40 à 200. Le gain en courant continu du 2SD812-P est compris entre 100 à 200, celui du 2SD812-Q entre 60 à 120, celui du 2SD812-R entre 40 à 80.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD812 peut n'être marqué que D812.

Complémentaire du transistor 2SD812

Le transistor PNP complémentaire du 2SD812 est le 2SB747.

Version SMD du transistor 2SD812

Le BDP951 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SD812.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD812

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD812 par 2SC1986, 2SC2334, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, 2SD1355, 2SD1407, 2SD1407A, 2SD2059, 2SD363, 2SD525, 2SD569, 2SD613, 2SD772, 2SD792, 2SD823, BD243B, BD243C, BD537, BD539B, BD539C, BD539D, BD799, BD801, BD809, BD951, BD953, BD955, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDT93, BDT93F, BDT95, BDT95F, BDX77, KSC2334, KSD363, KSD569, KTD2059, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E ou TIP42F.
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